一種功率器件外延結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110556144.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113299739A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299739A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏華忠;李健;黃傳偉;諸建周 申請（專利權(quán)）人 江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 葉棟
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是功率器件外延結(jié)構(gòu)及其制造方法，其結(jié)構(gòu)包括相互連接的35μm厚N型外延和N型襯底，N型外延上刻蝕有20μm深溝槽，溝槽底部為15μm厚P型區(qū)域，溝槽內(nèi)和溝槽頂部為15μm厚P型外延。方法包括：1）準(zhǔn)備具有N型外延外延片；2）N型外延光刻；3）等離子干法溝槽刻蝕；4）三次硼離子注入；5）光刻膠去除高溫推進形成P型區(qū)域；6）P型外延填充；7）一次光刻定義N型區(qū)域；8）三次磷注入；9）去除光刻膠并高溫推進形成N型的區(qū)域。本發(fā)明的優(yōu)點：對比多層外延工藝和深溝槽加外延填充工藝，只使用一次外延生長，并且降低了對深溝刻蝕深度的依賴，有效降低了工藝成本和工藝難度，可靠性高，可使超級結(jié)工藝具有更大普及性。