一種降低導(dǎo)通電阻的TrenchMOSFET結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120027849.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214043678U 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN214043678U 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡蓋;黃傳偉;夏華秋;談益民 申請（專利權(quán)）人 江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 葉棟
地址 214142江蘇省無錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型是降低導(dǎo)通電阻的Trench MOSFET結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)包括襯底層和位于襯底層表面的源區(qū)金屬層、漏區(qū)金屬層、柵區(qū)金屬層；襯底層上方與源區(qū)金屬層、漏區(qū)金屬層、柵區(qū)金屬層之間從下至上依次設(shè)有水平N+漏層、N?漂移區(qū)、P型阱區(qū)層和N+型源區(qū)層；還包括雙溝槽結(jié)構(gòu)：槽型多晶硅柵區(qū)和槽型場氧；槽型場氧右側(cè)設(shè)與水平N+漏層連接的縱向N+漏區(qū)；源區(qū)金屬層、漏區(qū)金屬層、柵區(qū)金屬層分別通過接觸孔內(nèi)金屬分別與N+型源區(qū)層、縱向N+漏區(qū)、槽型多晶硅柵區(qū)連接。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，利用表面漏區(qū)縮短了載流子在高阻區(qū)的漂移路徑，能有效的減少其導(dǎo)通電阻。