一種抑制尖峰電壓的MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110556184.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113299757A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299757A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏華忠;李健;黃傳偉;諸建周 申請（專利權(quán)）人 江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 葉棟
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是抑制尖峰電壓的MOSFET結(jié)構(gòu)及制造方法，結(jié)構(gòu)包括依次連接的漏極、漂移區(qū)、體區(qū)、源極和金屬層，還包括接觸孔和寬度0.8μm溝槽，溝槽內(nèi)為厚度0.1μm柵氧，柵氧中心為厚度0.4μm柵極多晶硅，柵極多晶硅中心設(shè)寬度0.2μm二氧化硅層。方法：1）外延層光刻；2）溝槽干法刻蝕；3）除光刻膠；4）柵氧形成；5）柵極多晶硅成長；6）硼磷離子注入；7）表面多晶硅刻蝕；8）形成源區(qū)體區(qū)；9）形成二氧化硅層間膜，光刻和干法刻蝕形成接觸孔；10）濺射鋁金屬層，光刻和等離子干法刻蝕形成金屬布線層。優(yōu)點：在柵極多晶硅中間增加二氧化硅層可降低柵極多晶電阻率，降低柵極電阻，抑制尖峰電流，不增加額外成本。