InAlGaN系列合金材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510990660.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106756875B 公開（公告）日 2020-02-04
申請公布號 CN106756875B 申請公布日 2020-02-04
分類號 C23C16/34;C23C16/455;C23C16/56 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張峰;池田昌夫;劉建平;張書明;李德堯;張立群;孫錢;楊輝 申請（專利權(quán)）人 杭州增益光電科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;侯藝
地址 310026 浙江省杭州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道21號大街600號2幢110室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種InAlGaN系列合金材料的制備方法，包括如下步驟：在H2載氣下控制溫度為1000～1100℃，在襯底上生長第一非摻雜層；在載氣下控制溫度為1000～1100℃，在所述第一非摻雜層上生長第二摻雜層；在載氣下控制生長溫度為650～1000℃，在所述第二摻雜層上生長第三摻雜層；停止鎵源供給并將載氣切換為氮氫混合氣體，以0.5?2℃/s的升溫速度逐步升溫至退火溫度并保持0?10min，所述退火溫度高于所述生長溫度；恢復(fù)溫度至所述設(shè)定溫度。本發(fā)明可以形成界面平整、不含V型缺陷的疊層結(jié)構(gòu)，有助于減小反向漏電，提高器件的可靠性。