一種氮化鎵基半導體激光器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410120399.7 申請日 -
公開（公告）號 CN104953467B 公開（公告）日 2019-02-12
申請公布號 CN104953467B 申請公布日 2019-02-12
分類號 H01S5/343 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫鵬雁;李德堯;張書明;劉建平;張立群;楊輝 申請（專利權(quán)）人 杭州增益光電科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;楊林
地址 310026 浙江省杭州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道21號大街600號2幢110室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化鎵基半導體激光器，包括襯底、設(shè)置在襯底上的波導結(jié)構(gòu)及設(shè)置在襯底與波導結(jié)構(gòu)之間的多量子阱吸收層，其中，多量子阱吸收層用于吸收由波導結(jié)構(gòu)泄漏到襯底中的光。本發(fā)明還公開一種氮化鎵基半導體激光器的制作方法。本發(fā)明的氮化鎵基半導體激光器及其制作方法，未出現(xiàn)襯底模式，改善了遠場光斑。