半導體激光器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610363086.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106785912B 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN106785912B 申請公布日 2020-04-10
分類號 H01S5/30;H01S5/34 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程洋;劉建平;田愛琴;馮美鑫;張峰;張書明;李德堯;張立群;楊輝 申請（專利權）人 杭州增益光電科技有限公司
代理機構 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 代理人 孫偉峰
地址 310026 浙江省杭州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)白楊街道21號大街600號2幢110室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體激光器，其包括襯底以及在所述襯底上依次疊層設置的下限制層、下波導層、量子阱有源區(qū)、上波導層以及上限制層；該半導體激光器還包括夾設于所述下波導層與所述量子阱有源區(qū)之間的空穴阻擋層。根據(jù)本發(fā)明的半導體激光器通過在下波導層與量子阱有源區(qū)之間制備空穴阻擋層，從而有效阻擋了空穴從量子阱有源區(qū)向下波導層、下限制層的N型區(qū)一側泄露，提高了載流子的注入效率，從而提升了該半導體激光器的性能。本發(fā)明還公開了上述半導體激光器的制作方法。