碳化硅二極管結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121444412.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN215731735U | 公開（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215731735U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-01 |
| 分類號(hào) | H01L29/872（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 淄博綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海段和段律師事務(wù)所 | 代理人 | 郭國(guó)中;李佳俊 |
| 地址 | 255025山東省淄博市高新區(qū)中潤(rùn)大道158號(hào)MEMS產(chǎn)業(yè)園區(qū)8#樓4樓416 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種碳化硅二極管結(jié)構(gòu),包括碳化硅襯底、碳化硅外延層、正面電極、肖特基勢(shì)壘層、P型分壓環(huán)、N型截止環(huán)、復(fù)合終端鈍化層、歐姆接觸層以及背面電極；背面電極、歐姆接觸層、碳化硅襯底從下往上依次疊加，N型截止環(huán)位于P型分壓環(huán)的外側(cè)；肖特基勢(shì)壘層和正面電極在碳化硅外延層的上表面從下往上依次疊加，復(fù)合終端鈍化層設(shè)置在碳化硅外延層的上表面，復(fù)合終端鈍化層將正面電極半包圍。通過帶有阻擋緩沖層的雙層碳化硅外延，減少了碳化硅襯底的缺陷，通過N型截止環(huán)，可以有效的截?cái)嗦╇娡ǖ喇a(chǎn)生的漏電流，能夠減少器件邊緣漏電量大的情況發(fā)生；復(fù)合終端鈍化層可以對(duì)器件形成整體保護(hù)，增強(qiáng)了器件可靠性。 |
