碳化硅二極管結構及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110722082.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113540258A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113540258A 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L23/31;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 淄博綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機構 上海段和段律師事務所 代理人 郭國中;李佳俊
地址 255025 山東省淄博市高新區(qū)中潤大道158號MEMS產(chǎn)業(yè)園區(qū)8#樓4樓416
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅二極管結構及制作方法，包括碳化硅襯底、碳化硅外延層、正面電極、肖特基勢壘層、P型分壓環(huán)、N型截止環(huán)、復合終端鈍化層、歐姆接觸層以及背面電極；背面電極、歐姆接觸層、碳化硅襯底從下往上依次疊加，N型截止環(huán)位于P型分壓環(huán)的外側；肖特基勢壘層和正面電極在碳化硅外延層的上表面從下往上依次疊加，復合終端鈍化層設置在碳化硅外延層的上表面，復合終端鈍化層將正面電極半包圍。通過帶有阻擋緩沖層的雙層碳化硅外延，減少了碳化硅襯底的缺陷，通過N型截止環(huán)，可以有效的截斷漏電通道產(chǎn)生的漏電流，能夠減少器件邊緣漏電量大的情況發(fā)生；復合終端鈍化層可以對器件形成整體保護，增強了器件可靠性。