一種等離子體退火設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022876090.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213483721U 公開（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN213483721U 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) H01L21/67（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B33/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 淄博綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 李佳俊;郭國(guó)中
地址 255025山東省淄博市高新區(qū)中潤(rùn)大道158號(hào)MEMS產(chǎn)業(yè)園區(qū)8#樓4樓416
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種等離子體退火設(shè)備，包括真空腔室和退火腔室，所述真空腔室位于退火腔室上方，且所述真空腔室與退火腔室之間連通有連通口，所述真空腔室連通有進(jìn)氣管，所述真空腔室內(nèi)設(shè)置有等離子源，所述等離子源位于進(jìn)氣管在真空腔室側(cè)壁上的管口的下側(cè)，且所述真空腔室內(nèi)還設(shè)置有磁場(chǎng)過濾組件，所述退火腔室內(nèi)設(shè)置有用于放置硅片的基臺(tái)，所述基臺(tái)上設(shè)置有下部電極，且所述基臺(tái)位于連接口的正下方，且所述退火腔室上還設(shè)置有溫度調(diào)節(jié)裝置以及壓力調(diào)節(jié)組件。實(shí)現(xiàn)在低溫條件下對(duì)放置在基臺(tái)上的硅片柵氧化層進(jìn)行退火處理，減少了柵氧化層中的缺陷，進(jìn)而有助于提高退火效果。