碳化硅二極管及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110802475.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113594263A 公開（公告）日 2021-11-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN113594263A 申請(qǐng)公布日 2021-11-02
分類號(hào) H01L29/872（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳俊峰;廖奇泊;陳本昌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 淄博綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 李佳俊;郭國(guó)中
地址 255025山東省淄博市高新區(qū)中潤(rùn)大道158號(hào)MEMS產(chǎn)業(yè)園區(qū)8#樓4樓416
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅二極管及制造方法，包括：晶圓基底層、晶圓外延層、摻雜區(qū)、摻雜多晶硅、第一層金屬層、正面金屬層、正面護(hù)層和背面金屬；晶圓基底層一側(cè)相鄰晶圓外延層一側(cè)；晶圓基底層另一側(cè)設(shè)置背面金屬，背面金屬和晶圓基底層之間設(shè)置晶背歐姆接觸；晶圓外延層另一側(cè)設(shè)置多個(gè)凹槽，凹槽底部設(shè)置為摻雜區(qū)，凹槽頂部所在平面和凹槽側(cè)面設(shè)置摻雜多晶硅；摻雜區(qū)和摻雜多晶硅外側(cè)設(shè)置第一層金屬層，第一層金屬層外側(cè)設(shè)置正面金屬層，正面金屬層外側(cè)設(shè)置正面護(hù)層。本發(fā)明由于界面特性不受高溫影響，因此優(yōu)化工藝流程，減少晶圓減薄后的工藝步驟。