基于W3光子晶體缺陷波導(dǎo)的分布式反饋激光器及制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010671274.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111916998A | 公開(kāi)(公告)日 | 2020-11-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111916998A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號(hào) | H01S5/12;H01S5/10 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃翊東;崔開(kāi)宇;劉仿;馮雪;張巍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 華慧科銳(天津)科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 苗曉靜 |
| 地址 | 100084 北京市海淀區(qū)雙清路30號(hào)清華大學(xué) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例提供一種基于W3光子晶體缺陷波導(dǎo)的分布式反饋激光器及制備方法,分布式反饋激光器包括P電極、P摻雜層、量子阱有源層、N摻雜層和N電極;有源光子晶體波導(dǎo)層中包括有兩個(gè)微孔波導(dǎo)陣列,分布在P電極的兩側(cè),微孔波導(dǎo)陣列由多個(gè)微孔按照預(yù)設(shè)陣列結(jié)構(gòu)排列形成,每個(gè)微孔均貫穿P摻雜層、量子阱有源層和N摻雜層,并在襯底上表面截止;沿線缺陷光子晶體波導(dǎo)方向去除二維圖形結(jié)構(gòu)中的3列微孔,形成W3光子晶體缺陷波導(dǎo)。本發(fā)明實(shí)施例利用W3光子晶體缺陷波導(dǎo)中前向波與反向波耦合產(chǎn)生的慢光效應(yīng)設(shè)計(jì)超短激光諧振腔,從而可以降低芯片體積,進(jìn)而可以降低器件成本并提高芯片可集成性能。 |





