基于eFlash存儲芯片的數(shù)據(jù)擦寫方法及系統(tǒng)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201911375135.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111143238A | 公開(公告)日 | 2020-05-12 |
| 申請公布號 | CN111143238A | 申請公布日 | 2020-05-12 |
| 分類號 | G06F12/02;G06F11/14 | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
| 發(fā)明人 | 馬佳偉;孫楚昆;余彥飛;付琴琴 | 申請(專利權(quán))人 | 無錫融卡科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 深圳融卡智能科技有限公司 |
| 地址 | 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)弘毅路10號金乾座501室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于eFlash存儲芯片的數(shù)據(jù)擦寫方法及系統(tǒng),方法包括:獲取應用數(shù)據(jù);調(diào)用寫接口,判斷目標擦寫單元是否需要啟動均衡交換;當不需要啟動均衡交換時,將應用數(shù)據(jù)直接寫入目標擦寫單元;當需要啟動均衡交換時,獲取可用的交換單元,將應用數(shù)據(jù)寫入可用的交換單元,其中目標擦寫單元是否需要啟動均衡交換的判斷方法包括:計算獲得基準擦寫均衡線高度;計算獲得目標擦寫單元的擦寫均衡高度;若擦寫均衡高度大于或等于基準擦寫均衡線高度,則啟動均衡交換。本發(fā)明在保證了eFlash存儲芯片具有較高的擦寫次數(shù)的前提下,有效地降低了因引入均衡擦寫算法而額外產(chǎn)生的擦寫性能開銷,提高了尋找均衡交換目標對象的效率。 |





