熱輻射散熱薄膜結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010181772.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102263072B 公開（公告）日 2013-05-01
申請公布號 CN102263072B 申請公布日 2013-05-01
分類號 H01L23/373(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H05K7/20(2006.01)I;C09K5/14(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳烱勛 申請（專利權）人 景德鎮(zhèn)正宇奈米科技有限公司
代理機構 北京華夏博通專利事務所（普通合伙） 代理人 景德鎮(zhèn)正宇奈米科技有限公司
地址 333000 江西省景德鎮(zhèn)市浮梁縣陶瓷工業(yè)園區(qū)外環(huán)路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種熱輻射散熱薄膜結構及其制作方法，所述熱輻射散熱薄膜結構包括基板及熱輻射散熱薄膜，熱輻射散熱薄膜形成于基板上，基板具電氣絕緣性，且基板及熱輻射散熱薄膜的熱膨脹系數(shù)之間的差額比不大于0.1％。熱輻射散熱薄膜由包含金屬及非金屬的結晶體所構成，且具有表面顯微結構。熱輻射散熱薄膜將包含所需金屬與非金屬的組合物，利用高壓涂布方式而涂布在已加熱的基板上而形成。由于熱輻射散熱薄膜可藉熱輻射方式在朝向基板的方向上進行熱傳播，可大幅改善散熱效率，使得位于基板之外的外部對象的溫度可不小于熱輻射散熱薄膜的溫度。