一種200mm肖特基管用摻磷硅外延片的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810245132.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108428630B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108428630B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-01 |
| 分類號(hào) | H01L21/329 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 尤曉杰;鄧雪華;劉勇;潘文賓 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京國(guó)盛電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京國(guó)盛電子有限公司 |
| 地址 | 211100 江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種200mm肖特基管用摻磷硅外延片的制備方法，包括如下步驟：預(yù)備摻磷硅襯底片：選用摻磷硅襯底片，電阻率0.0012～0.0015Ωcm，襯底片的局部平整度≤0.8μm，背封層為二氧化硅+多晶硅，二氧化硅和多晶硅的厚度均為第一層包封層：在襯底表面和邊緣生長(zhǎng)一層厚度為0.5～0.8μm的包封層，同時(shí)通入小流量HCl，HCl流量為0.5～1.5L/min；第二層外延層：不通入HCl，通入摻雜，生長(zhǎng)一層厚度和電阻率符合200mm肖特基管要求的外延層。本發(fā)明外延工藝的有效組合，即保證了擴(kuò)展電阻的匹配，又保證了外延片的生產(chǎn)效率。 |
