一種SOI作為襯底的晶圓外延制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010031562.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111199882A 公開（公告）日 2020-05-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN111199882A 申請(qǐng)公布日 2020-05-26
分類號(hào) H01L21/311;H01L21/02;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧海權(quán);韓旭;尤曉杰;王銀海 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京國(guó)盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南京國(guó)盛電子有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)正方中路166號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SOI作為襯底的晶圓外延工藝，包括以下工藝步驟：(1)將SOI襯底在49％濃度的HF酸液中漂洗30秒，清水中漂洗8分鐘，然后進(jìn)入1#液中漂洗5分鐘，再進(jìn)入清水中漂洗干凈后甩干備用；以盡可能去除表面顆粒等；(2)在外延淀積之前使用HCl小流量腐蝕表面，將襯底表面晶格缺陷最嚴(yán)重的部分剝掉；(3)氣腐后先進(jìn)行1100℃退火2～10min，進(jìn)一步降低襯底表面晶格損傷；(4)1100～1180℃高溫外延淀積，使淀積過程產(chǎn)生的缺陷盡可能減少。本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠有效提高SOI材料的外延層質(zhì)量。