一種生長薄層高阻硅外延片的方法及所制得的外延片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110883682.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113322513A 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN113322513A 申請公布日 2021-08-31
分類號 C30B25/14（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B31/16（2006.01）I;C30B31/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬夢杰;王銀海;鄧雪華;楊帆 申請（專利權(quán)）人 南京國盛電子有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種生長薄層高阻硅外延片的方法，包括如下步驟：預(yù)備襯底片：選用摻As襯底；設(shè)置反應(yīng)腔體壓強10~50Torr，襯底表面用生長溫度為1050~1100℃，采用二氯二氫硅（DCS）作為硅源生長第一外延層；設(shè)置反應(yīng)腔體壓強10~80Torr，在第一外延層上用生長溫度為1050~1100℃，采用二氯二氫硅（DCS）作為硅源生長第二外延層。該方法能夠抑制重?fù)紸s襯底雜質(zhì)擴(kuò)散和蒸發(fā)，降低固態(tài)擴(kuò)散和氣相自摻雜，在外延厚度薄的情況下獲得窄過度區(qū)寬度、高外延電阻率及均一外延電阻率分布，既保證器件的擊穿電壓，又兼顧器件的導(dǎo)通電阻。