一種半導(dǎo)體處理裝置、處理方法及應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010877684.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112002660A | 公開（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112002660A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-27 |
| 分類號(hào) | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 溫子瑛;金龍;楊帆;王銀海;潘文賓;黃宇程;孫富成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京國(guó)盛電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京國(guó)盛電子有限公司;無(wú)錫華瑛微電子技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)正方中路166號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體處理裝置，包括本體，在所述本體的上端面形成凹進(jìn)部，所述凹進(jìn)部的底壁上具有至少一個(gè)位置，在底壁的每個(gè)所述位置處開設(shè)的與所述凹進(jìn)部連通的第一通道；在所述凹進(jìn)部底壁的邊緣處的所述本體上開設(shè)的與所述凹進(jìn)部連通的第二通道，所述凹進(jìn)部底壁邊緣處設(shè)置有用于液體流動(dòng)替換的流道。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)處理液對(duì)硅能均一實(shí)現(xiàn)氧化，生成均勻致密的氧化層；處理液能夠做到有效的流動(dòng)和替換；處理流程自動(dòng)化程度高，受外界影響小，步驟簡(jiǎn)單。?? |
