半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)和絕緣柵雙極型晶體管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010928400.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112071905B | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112071905B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 潘曉偉;張杰;胡舜濤;李豪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海陸芯電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)2幢409室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)和絕緣柵雙極型晶體管。所述半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)包括：主結(jié)、場(chǎng)限環(huán)和截止環(huán)；所述場(chǎng)限環(huán)位于所述主結(jié)與所述截止環(huán)之間；漂移層，所述主結(jié)、所述場(chǎng)限環(huán)和所述截止環(huán)共用所述漂移層；其中，所述主結(jié)包括位于所述漂移層頂部的第一擴(kuò)散區(qū)和第二擴(kuò)散區(qū)，所述第一擴(kuò)散區(qū)位于所述第二擴(kuò)散區(qū)遠(yuǎn)離所述場(chǎng)限環(huán)的一端，且所述第一擴(kuò)散區(qū)的深度小于所述第二擴(kuò)散區(qū)的深度；所述主結(jié)還包括至少一個(gè)第一溝槽，所述第一溝槽位于所述第一擴(kuò)散區(qū)內(nèi)；所述第一溝槽用于驅(qū)使所述主結(jié)內(nèi)的部分電流路徑為縱向流動(dòng)。本發(fā)明可以在提高器件擊穿電壓的同時(shí)保證器件終端結(jié)構(gòu)的可靠性。?? |
