一種PVD法制備V型摻雜銅銦鎵硒吸收層的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910540528.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110257770B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110257770B 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) C23C14/06（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/0392（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄒臻峰;成志華;陳少逸;勞宏彬;吳建邦;黃宏利;陳方才 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 銅仁梵能移動(dòng)能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽(yáng)易博皓專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張浩宇
地址 554111 貴州省銅仁市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)電商園A-2棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種PVD法制備V型摻雜銅銦鎵硒吸收層的方法，包括如下步驟：S1：以不銹鋼柔性材料為襯底，采用PVD濺射法在襯底的表面沉積第一層銅銦鎵薄膜，同時(shí)進(jìn)行低溫硒化處理，形成第一層銅銦鎵硒薄膜層；S2：采用PVD濺射法在第一層銅銦鎵硒薄膜上沉積第二層銅銦鎵薄膜，同時(shí)在高溫下進(jìn)行硒化處理，形成第二層銅銦鎵硒薄膜吸收層；S3：采用PVD濺射法在第二層銅銦鎵硒薄膜上沉積第三層銅銦鎵薄膜，同時(shí)進(jìn)行低溫?zé)嵬嘶鹛幚砗臀幚恚纬傻谌龑鱼~銦鎵硒薄膜界面層。通過(guò)控制鎵的摻雜含量，實(shí)現(xiàn)了V型雙梯度能帶分布。工藝流程簡(jiǎn)單，可控性和穩(wěn)定性程度高，實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化后的CIGS電池轉(zhuǎn)換效率提升1.0％以上。