一種能夠防止離子注入?yún)^(qū)邊界硅棱剝落的離子注入方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510259857.X 申請日 -
公開（公告）號 CN104979171A 公開（公告）日 2015-10-14
申請公布號 CN104979171A 申請公布日 2015-10-14
分類號 H01L21/266(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李寧;付鵬;張思申;利陽;汪小軍 申請（專利權(quán)）人 中國航天科技集團有限公司
代理機構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 徐文權(quán)
地址 710068 陜西省西安市太白南路198號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種能夠防止離子注入?yún)^(qū)邊界硅棱剝落的離子注入方法，包括以下步驟：首先對硅片表面進行處理，使硅片表面生長氧化層；然后硅片上涂覆光刻膠；接著對硅片進行離子注入；最后去除硅片表面的光刻膠。本發(fā)明通過對硅片表面進行處理，可在硅片表面生長超薄氧化層，避免硅片在去膠過程中生成上述硅棱，從而避免硅剝落問題，減少表面缺陷并提高產(chǎn)品成品率。