一種基于PD SOI的二極管輔助觸發(fā)ESD保護電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310109113.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103178058B 公開（公告）日 2015-09-02
申請公布號 CN103178058B 申請公布日 2015-09-02
分類號 H01L27/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王忠芳;劉存生;蔣軼虎;高利軍;楊博;周鳳 申請（專利權）人 中國航天科技集團有限公司
代理機構 西安通大專利代理有限責任公司 代理人 汪人和
地址 710054 陜西省西安市太乙路189號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于PD?SOI的二極管輔助觸發(fā)ESD保護電路，在該結(jié)構中，柵極采用條形柵結(jié)構，漏區(qū)和源區(qū)采用漏深源淺非對稱結(jié)構，在漏端一側(cè)，除了進行深N+注入外，還在漏端邊側(cè)和中間進行P+注入，以形成P+N+二極管；在源端，同樣采取N+和P+間隔注入的方式，但源端的P+注入不應太寬，且應該和漏端相對應的N+的中間位置對齊。源端的N+和P+無需通過SAB層覆蓋，在進行硅化物工藝時可以短接在一起以形成體接觸。該結(jié)構具有可調(diào)開啟電壓、抗輻照能力強、導通均勻性好和消除邊緣漏電等優(yōu)點，可以有效地應用于輸入PAD、輸出PAD以及電源和地之間的ESD保護。