一種PECVD氣體噴淋頭、成膜腔室及工作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410689376.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105695958B 公開（公告）日 2018-12-07
申請公布號 CN105695958B 申請公布日 2018-12-07
分類號 C23C16/511;C23C16/513;C23C16/517 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 馬哲國;陳金元;王慧慧;楊飛云;譚曉華 申請（專利權(quán)）人 理想能源設(shè)備（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201620 上海市松江區(qū)思賢路3255號3幢403室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的PECVD氣體噴淋頭，包括頂部、底部及位于所述頂部和底部之間的側(cè)壁，所述頂部和底部之間構(gòu)成氣體均勻分布腔，所述頂部包括：中心設(shè)置有工藝氣體、射頻電源信號及RPS等離子體通道的頂壁和位于所述頂壁下方的工藝氣體均勻分布層，所述工藝氣體通道與所述工藝氣體均勻分布層相連并在其中進(jìn)行第一次氣體均勻，然后再進(jìn)入所述氣體均勻分布腔內(nèi)進(jìn)行第二次氣體均勻，所述射頻電源信號直接饋入至所述頂壁內(nèi)，所述RPS等離子體通道直接與所述氣體均勻分布腔相連。本發(fā)明能夠改善大面積基板的膜厚均一性且提高產(chǎn)能。