化學(xué)氣相沉積裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201210396302.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN103774115B | 公開(公告)日 | 2017-12-29 |
| 申請公布號 | CN103774115B | 申請公布日 | 2017-12-29 |
| 分類號 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 宋濤;薩爾瓦多;奚明;馬悅;黃占超;劉強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人 | 理想能源設(shè)備(上海)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 理想能源設(shè)備(上海)有限公司;理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司;理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科園區(qū)居里路1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積裝置。所述化學(xué)氣相沉積裝置包括反應(yīng)腔、位于反應(yīng)腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設(shè)置的基座,所述基座可以相對所述噴淋組件旋轉(zhuǎn),所述噴淋組件包括第一進(jìn)氣管路以及第二進(jìn)氣管路,用于分別將第一氣體以及第二氣體傳輸?shù)綒怏w分配板,所述氣體分配板具有面向所述基座的排氣面,所述排氣面具有若干凹槽,用以收容氣體并安裝板部件,所述板部件具有若干出氣孔,所述出氣孔排列成若干列,所述若干列中至少有兩列的出氣孔排列位置部分錯開,所述出氣孔用以排出所述第一氣體或第二氣體中的一種或多種。本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積裝置結(jié)構(gòu)簡單,制造成本較低,且易于拆分清潔。 |





