一種用于制備AMOLED的PECVD裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410062827.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104862666B 公開（公告）日 2018-03-27
申請公布號 CN104862666B 申請公布日 2018-03-27
分類號 C23C16/44 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊飛云;譚曉華;陳金元;徐升東;李朋;李一成;劉傳生 申請（專利權(quán)）人 理想能源設(shè)備（上海）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201203 上海市松江區(qū)思賢路3255號3幢403室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，通過真空環(huán)境的外腔和進行等離子體增強型化學氣相沉積反應(yīng)的內(nèi)腔相互結(jié)合、對基板進行400?450℃的局部直接高溫加熱、采用間隔部件以及在腔體頂壁和底壁分別設(shè)置冷卻機構(gòu)等一系列技術(shù)手段實現(xiàn)了采用低溫PECVD反應(yīng)腔進行高溫AMOLED工藝的技術(shù)效果，解決了傳統(tǒng)方式中以鋁作為反應(yīng)腔腔體材料而面臨的400?450℃高溫環(huán)境下材料強度、剛度變差以及嚴重的熱形變問題。