硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池真空處理系統(tǒng)及電池制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210589702.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN103904155B | 公開(公告)日 | 2017-12-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103904155B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-12-05 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 胡宏逵;馬哲國;耿茜;李一成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 理想能源設(shè)備(上海)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 上海市松江區(qū)思賢路3255號(hào)3幢403室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池的真空處理系統(tǒng)及電池的制備方法,所述硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池真空處理系統(tǒng)包括:將裝有硅片的托盤傳入或傳出所述真空處理系統(tǒng)的進(jìn)/出片腔,至少一個(gè)反應(yīng)腔,在所述反應(yīng)腔內(nèi)對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)氣相沉積處理以沉積非晶硅薄膜,所述真空處理系統(tǒng)中還含有保持真空環(huán)境的氧化層蝕刻腔,用于去除硅片表面的氧化物。本發(fā)明通過將氧化層蝕刻過程和沉積非晶硅薄膜過程集中于一個(gè)真空處理系統(tǒng)中,可以避免大氣傳輸中的大氣污染,有利于提高電池轉(zhuǎn)換效率,同時(shí),降低了制絨工序和鈍化工序間嚴(yán)格的時(shí)間要求,有利于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)并且提高產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。 |





