一種生長石墨烯薄膜的裝置及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410196056.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105088335B 公開（公告）日 2018-01-05
申請公布號 CN105088335B 申請公布日 2018-01-05
分類號 C30B25/08(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 奚明;胡兵;吳紅星;吳堃;于廣輝;張燕輝;陳志鎣;徐偉;張浩然 申請（專利權）人 理想能源設備（上海）有限公司
代理機構 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 代理人 理想能源設備（上海）有限公司;上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;理想晶延半導體設備（上海）有限公司;中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;理想晶延半導體設備（上海）股份有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江居里路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種在柔性襯底上生長石墨烯薄膜的裝置，該裝置包括：內腔，該內腔分為預處理倉、上反應倉和中反應倉，所述預處理倉、上反應倉和中反應倉分設有進氣口和出氣口且依次排列；金屬襯底，一般為銅膜或銅鎳合金膜，延伸于內腔，金屬襯底兩側的細縫連通預處理倉、上反應倉和中反應倉；加熱器，位于立式內腔外側，用于加熱金屬襯底；反射板，位于加熱器外周側，用于將熱量向立式內腔方向反射。進一步地，所述內腔和外腔均為立式結構，并且金屬襯底垂直延伸于內腔中，并可由預處理倉向上反應倉、中反應倉的方向勻速移動。利用本發(fā)明的裝置和方法能夠量產出高品質、大尺寸的石墨烯薄膜。