生長高鋁組分氮基化合物半導體的氣體分配裝置及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201280001823.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104603328B 公開（公告）日 2018-01-23
申請公布號 CN104603328B 申請公布日 2018-01-23
分類號 C23C16/455;C30B25/14;H01L21/205;H01L21/20;C30B25/02;C30B29/38;C23C16/18;C23C16/34;C23C16/52 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃占超;何川;馬悅;丁興燮;宋濤;薩爾瓦多;胡兵;奚明 申請（專利權）人 理想能源設備（上海）有限公司
代理機構 上海恒銳佳知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 理想能源設備（上海）有限公司;理想晶延半導體設備（上海）有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江居里路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于生長高鋁組分氮基化合物半導體的氣體分配裝置包括入口端、第一氣體分配裝置、第二氣體分配裝置、第三氣體分配裝置、出口端和冷卻系統(tǒng)。所述第一氣體分配裝置由所述冷卻系統(tǒng)加以冷卻，通過所述的氣體分配裝置，可以在出口端形成非均勻的氣體環(huán)境，減少不同種類氣體之間的混合，從而減少不同氣體之間的預反應。同時，本發(fā)明還揭示了一種高鋁組分氮基化合物半導體的生長方法。