一種用于銅/鉬(鈮)/IGZO膜層的刻蝕液及其制備方法和應(yīng)用
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010652548.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN111809182A | 公開(公告)日 | 2020-10-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111809182A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-23 |
| 分類號(hào) | C23F1/18(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 徐帥;張紅偉;李闖;胡天齊;錢鐵民 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇和達(dá)電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 江蘇和達(dá)電子科技有限公司;四川和晟達(dá)電子科技有限公司 |
| 地址 | 212212江蘇省鎮(zhèn)江市新壩鎮(zhèn)揚(yáng)中長江大橋東側(cè) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種用于銅/鉬(鈮)/IGZO膜層的刻蝕液及其制備方法和應(yīng)用,所述蝕刻液包括主劑和添加劑,所述主劑和添加劑中金屬緩蝕劑均為氨基咔唑類金屬緩蝕劑。本發(fā)明的刻蝕液能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)金屬源漏電極和半導(dǎo)體層IGZO膜層的同步刻蝕,可降低光罩使用數(shù)量、簡化IGZO?TFT制造工藝流程、提高企業(yè)生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本、確保產(chǎn)品品質(zhì),同時(shí)該蝕刻液的銅離子負(fù)載可達(dá)8000ppm,使用壽命更高。?? |





