一種穿通結(jié)構(gòu)可控硅芯片的生產(chǎn)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010473439.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111816553A 公開（公告）日 2020-10-23
申請公布號 CN111816553A 申請公布日 2020-10-23
分類號 H01L21/228(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 耿開遠 申請（專利權(quán)）人 濟寧東方芯電子科技有限公司
代理機構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 代理人 濟寧東方芯電子科技有限公司
地址 272100山東省濟寧市兗州區(qū)兗顏路路北天齊廟村村西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種穿通結(jié)構(gòu)可控硅芯片的生產(chǎn)方法，包括如下步驟：(1)將硅片氧化處理；(2)將硅片進行光刻，腐蝕成線條，形成穿通環(huán)；(3)穿通環(huán)的硅片置于化學腐蝕液中腐蝕出溝槽；(4)利用自動涂源臺涂布；(5)將涂有硼鋁源的硅片置于高溫擴散爐中進行硼鋁擴散。本發(fā)明擴散工藝采用的為硼鋁源，硼鋁源主雜質(zhì)是鋁，鋁擴散速度快，擴散溫度要求低。本發(fā)明形成穿通結(jié)構(gòu)的可控硅片，整個工藝時間16?20小時高溫擴散，且最高溫度比常規(guī)最高溫度低，時間不到原來的1/10，提高了所制得芯片少子壽命。??