一種可控硅隔離墻和短基區(qū)同步擴(kuò)散結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010579367.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111933684A 公開（公告）日 2020-11-13
申請公布號 CN111933684A 申請公布日 2020-11-13
分類號 H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 耿開遠(yuǎn) 申請（專利權(quán)）人 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司
地址 272100山東省濟(jì)寧市兗州區(qū)兗顏路路北天齊廟村村西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種可控硅隔離墻和短基區(qū)同步擴(kuò)散結(jié)構(gòu)及方法，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，包括短基區(qū)、高阻區(qū)、陰極區(qū)和臺(tái)面槽，臺(tái)面槽的上方設(shè)有玻璃鈍化層，短基區(qū)的外側(cè)設(shè)有背面開槽區(qū)，背面開槽區(qū)內(nèi)設(shè)有鎵層，通過背面開槽以及槽內(nèi)擴(kuò)鎵形成隔離墻，隔離墻和短基區(qū)同質(zhì)，隔離墻和短基區(qū)同步形成，鎵層擴(kuò)散濃度和深度相同，使用鎵作為導(dǎo)電介質(zhì)，通過背面開槽加槽內(nèi)擴(kuò)鎵形成隔離墻，擴(kuò)散溫度低，時(shí)間短，避免了常規(guī)的深結(jié)長時(shí)間高溫?cái)U(kuò)散大大減少了工步，解決了現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問題。??