一種復(fù)合膜層臺面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其膜層生產(chǎn)工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010579391.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111710654A | 公開（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申請公布號 | CN111710654A | 申請公布日 | 2020-09-25 |
| 分類號 | H01L23/29(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 耿開遠(yuǎn) | 申請（專利權(quán)）人 | 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司 |
| 地址 | 272100山東省濟(jì)寧市兗州區(qū)兗顏路路北天齊廟村村西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種復(fù)合膜層臺面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其膜層生產(chǎn)工藝，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，包括半導(dǎo)體器件臺面，半導(dǎo)體器件臺面上設(shè)有溝槽，其特征在于：所述的溝槽的外部依次設(shè)有sipos層I、摻磷二氧化硅層、摻氯二氧化硅層和sipos層II，所述溝槽的下方設(shè)有PN結(jié),能夠?qū)崿F(xiàn)可控硅PN結(jié)的保護(hù)。在中間沉積一層吸雜能力強(qiáng)的摻磷二氧化硅層和固定雜質(zhì)能力強(qiáng)的摻氯二氧化硅，使得在其工作點附近摻磷二氧化硅層和摻氯二氧化硅起到有效降低漏電流的作用，既保證高耐壓和高溫度特性，又兼顧了漏電流問題。使用此方法的漏電流可以降低到常規(guī)方法的約一半左右。解決了現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問題。?? |
