具有電磁防護功能的SiP模塊及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911145791.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112825317A 公開（公告）日 2021-05-21
申請公布號 CN112825317A 申請公布日 2021-05-21
分類號 H01L23/552;H01L23/31;H01L25/00;H01L21/50;H01L21/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳偉翔;劉祐成;高合助;李昀聰 申請（專利權）人 環(huán)旭電子股份有限公司
代理機構 上海音科專利商標代理有限公司 代理人 劉香蘭
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)集成電路產業(yè)區(qū)張東路1558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明描述了一種具有電磁防護功能的SiP模塊的結構及其制造方法，該SiP模塊包含有系統級封裝體、兩個電磁防護層以及電磁波吸波層；其中，上述系統級封裝體包含有基板、兩組高頻電子元件以及封膠，兩組高頻電子元件相間隔地設置于基板上并且被封膠包覆；上述兩層電磁防護層在同一平面上相間隔地設置于封膠上，且由金屬材料制成，電磁波吸波層設置于上述兩層電磁防護層之間并能吸收電磁波；通過上述SiP模塊的設計，可有效地降低SiP模塊內部以及外部環(huán)境的電磁干擾。