一種提高太陽能電池片中氧化鋁薄膜質(zhì)量的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010349899.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111501026A 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN111501026A 申請公布日 2020-08-07
分類號 C23C16/511;C23C16/40;C23C16/455;H01L31/04;H01L31/18 分類 -
發(fā)明人 居建華 申請（專利權(quán)）人 無錫思銳電子設(shè)備科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州根號專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫思銳電子設(shè)備科技有限公司
地址 214112 江蘇省無錫市新吳區(qū)梅村街道豐東路8-8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提高太陽能電池片中氧化鋁薄膜質(zhì)量的方法，它包括：對鍍膜腔室內(nèi)部進(jìn)行加熱并抽真空；使所述鍍膜腔室內(nèi)部通過微波激發(fā)形成離子體；向所述鍍膜腔室內(nèi)通入反應(yīng)物，以在輸入的硅片表面形成氧化鋁薄膜；通過等間隔設(shè)置的多組U型罩以及與所述U型罩一一配合的多組氣路管組向所述鍍膜腔室內(nèi)通入反應(yīng)物。這樣能夠提高反應(yīng)氣體在U型罩內(nèi)外側(cè)分布的均勻程度，從而提高電池片中氧化鋁薄膜的質(zhì)量。