LED器件、顯示裝置及發(fā)光裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202123316714.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN216648342U | 公開(公告)日 | 2022-05-31 |
| 申請公布號 | CN216648342U | 申請公布日 | 2022-05-31 |
| 分類號 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉召軍;黃炳銓;張珂 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京慧加倫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道同勝社區(qū)工業(yè)園路1號1棟凱豪達大廈十三層1309 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請?zhí)峁┝艘环NLED器件、顯示裝置及發(fā)光裝置。其中,所述LED器件包括LED芯片陣列、鈍化層、鍵合層,所述鈍化層覆蓋所述LED芯片陣列;所述鈍化層上開設(shè)有電極接觸孔,所述鍵合層設(shè)置于所述電極接觸孔內(nèi),所述鍵合層為雙層結(jié)構(gòu)。本申請的LED器件,采用雙層結(jié)構(gòu)鍵合層,有效避免了芯片在激光剝離過程中因焊料熔化而脫落,此外,導(dǎo)電層采用高熔點導(dǎo)電材料,焊料層的熔點較導(dǎo)電層的熔點低,有效降低了鍵合溫度,降低了工藝成本。另外,本申請采用公共電極設(shè)計,即LED芯片陣列共用第一電極,并通過金屬網(wǎng)格線和/或第一半導(dǎo)體層實現(xiàn)電流收集與傳輸,有效提高了電流均勻性,提高了器件的光電性能。 |





