一種強(qiáng)吸電子元素?fù)诫s稀土正硅酸鹽閃爍材料及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011280944.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112390278B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112390278B 申請(qǐng)公布日 2022-02-08
分類號(hào) C01F17/32（2020.01）I;C01F17/10（2020.01）I;C09K11/77（2006.01）I;G01T1/00（2006.01）I;G01T1/161（2006.01）I;G01T3/06（2006.01）I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 丁棟舟;趙書(shū)文;楊帆;施俊杰;袁晨;王林偉;徐鎔濤;陳露 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海上硅中試基地科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所（普通合伙） 代理人 曹芳玲;鄭優(yōu)麗
地址 200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)定西路1295號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種強(qiáng)吸電子元素?fù)诫s稀土正硅酸鹽閃爍材料及其制備方法和應(yīng)用，所述強(qiáng)吸電子元素?fù)诫s稀土正硅酸鹽閃爍材料的化學(xué)式為：RE2（1?x?y+δ/2）Ce2xM2y?δSi（1?δ）MδO5；式中RE為稀土離子，0＜x≤0.05；M為強(qiáng)吸電子摻雜元素，0＜y≤0.015；且0≤δ≤10?4；所述M選自鎢W、鉛Pb、鉬Mo、碲Te、銻Sb、鉍Bi、汞Hg、銀Ag、鎳Ni、銦In、鋅Zn、鉈Tl、鈮Nb、鈦Ti、鉭Ta、錫Sn、鎘Cd、锝Tc、鋯Zr、錸Re和鎵Ga中至少一種。