高電源抑制、零極點(diǎn)內(nèi)部補(bǔ)償LDO電路及其實(shí)現(xiàn)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111624281.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114356010A 公開（公告）日 2022-04-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114356010A 申請(qǐng)公布日 2022-04-15
分類號(hào) G05F1/56（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 劉新東;梅名亮;王克明;林和平;陳超群;葉煜;狄俊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海力聲特醫(yī)學(xué)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 唐佳弟;秦華毅
地址 201318上海市浦東新區(qū)青黛路668號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高電源抑制、零極點(diǎn)內(nèi)部補(bǔ)償LDO電路及其實(shí)現(xiàn)方法，通過采用NMOS管子作為輸出驅(qū)動(dòng)管，采用內(nèi)部零極點(diǎn)跟蹤補(bǔ)償辦法，內(nèi)部補(bǔ)償電阻跟蹤驅(qū)動(dòng)管變化從而使得LDO的輸出穩(wěn)定，使得外接電容變化時(shí)系統(tǒng)任然很穩(wěn)定，同時(shí)電源抑制好，輸出更穩(wěn)定可靠。從而達(dá)到更高的性能指標(biāo)。