一種半導(dǎo)體晶圓批量刻蝕裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810493709.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108649005A 公開（公告）日 2018-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN108649005A 申請(qǐng)公布日 2018-10-12
分類號(hào) H01L21/67;H01J37/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐亞琴;李保振 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司棗莊嶧城支行
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)涼水河二街8號(hào)院17號(hào)北京大族天成半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體晶圓批量刻蝕裝置，刻蝕裝置包括反應(yīng)腔、晶圓固定裝置、氣體注入口、激勵(lì)線圈、旋轉(zhuǎn)裝置、離子加速器和加熱裝置。反應(yīng)腔上設(shè)置有進(jìn)氣口、出氣口和真空泵，真空泵與出氣口相連接；晶圓固定裝置位于反應(yīng)腔內(nèi)部；氣體注入口設(shè)置在反應(yīng)腔頂部；激勵(lì)線圈環(huán)繞反應(yīng)腔設(shè)置，激勵(lì)線圈用于將刻蝕氣體激發(fā)成等離子體；旋轉(zhuǎn)裝置與晶圓固定裝置相連，旋轉(zhuǎn)裝置用于帶動(dòng)晶圓繞反應(yīng)腔軸線旋轉(zhuǎn)；離子加速器固定在反應(yīng)腔內(nèi)壁上方，離子加速器作用在于對(duì)電離后的氯離子加速，使氯離子撞擊晶圓；加熱裝置位于反應(yīng)腔外部，加熱裝置用于對(duì)晶圓的加熱。本裝置適用于大批量的晶圓的刻蝕，有利于提高生產(chǎn)率。